РФЯЦ-ВНИИЭФ разработает установку для травления полупроводниковых пластин
Учреждение получит на эти работы 1,43 миллиарда рублей.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ займется разработкой автоматизированной установки жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 миллиметров. Учреждение стало победителем государственного аукциона. На выполнение работ оно получит 1,43 миллиарда рублей.
Новое оборудование будет предназначено для химического травления, очистки, промывки и сушки пластин в составе серийных технологических маршрутов микроэлектроники. Установка должна заменить имеющиеся американские и японские аналоги.
Оборудование должно обеспечивать обработку до 100 пластин за цикл, работу с реагентами при температуре до 160 градусов Цельсия, а также автоматическую загрузку и выгрузку изделий.
Требуемая равномерность травления по пластине – не более 5%. Наработка на отказ – не менее 2000 часов, срок службы – не менее 7 лет. При этом все ключевые элементы установки должны производиться на территории России.
