Новая глава российской микроэлектроники
Россия ускоряет создание САПР для техпроцесса 28 нм: в конце 2026 года Минпромторг планирует запустить проект «Цифра-Р», опередив изначальный график на четыре года.
Сегодня отечественное серийное производство ограничивается топологиями до 90 нм, поэтому техпроцесс 28 нм – важный рубеж для отрасли. Это позволит дизайн-центрам разрабатывать собственные микроконтроллеры для промышленности, чипы для телекоммуникаций, компоненты для автомобильной электроники и процессоры для робототехники. Проектирование будет вестись с учётом технологических особенностей российских предприятий, что обеспечит полный цикл создания микросхем – от архитектуры до готового изделия.
Синхронный запуск фабрик и софта
Параллельно с созданием ПО для 28 нм в Зеленограде формируется производственная база: АО «НМ-Тех» строит завод «ФАБ-300» под эту топологию. В январе 2026 года объявлено о создании АО «Объединённая микроэлектронная компания», которая объединит «НМ-Тех», «Группу Элемент» и «Ангстрем» в единый контур для выпуска чипов 28 нм и менее. На комплексную программу развития электронной промышленности до 2030 года планируется направить один трлн рублей (около 10,9 млрд долларов).
Связующим звеном между новым «железом» и софтом станет создание КСП (PDK) – комплекта библиотек элементов и строгих правил проектирования под конкретное производство. Именно эта точная настройка обеспечит сквозной маршрут от разработки схемы до передачи корректных данных на фабрику.
Сборка единой проектной среды
САПР в микроэлектронике – не один редактор, а цепочка инструментов: логическое и физическое проектирование, проверка правил, трассировка, подготовка данных. Ряд звеньев уже собран: завершен проект Фонда перспективных исследований (ФПИ) «Обсидиан» – демонстратор проектирования чипов по топологии 180 нм на базе открытых инструментов, а также модули 2D-симуляции до 130 нм и решения по корпусированию. Этот опыт показал ограничения открытого кода: он не закрывает требования кибербезопасности (ФСТЭК) и не обеспечивает полноценную верификацию. Поэтому в дальнейших разработках ставка сделана на собственные, а не адаптированные решения. Опираясь на этот опыт, специалисты формируют сквозные маршруты, особенность которых – точная настройка под физические особенности реального производства. Поэтому программы разрабатываются под конкретные фабрики: САПР «Цифра-Б» (до 90 нм) – для ООО «НМ-Тех» и АО «Микрон», САПР «Аналог-Б» (350-180 нм) – для «Микрона» и предприятий ГК «Росатом», САПР «СВЧ-Б» – для АО «НПП «Исток им. Шокина».
Параллельно до конца 2026 года Минпромторг запустит адаптацию инструментов под техпроцессы до 65 нм и трёхмерное моделирование – следующий этап после базовых маршрутов.
От прототипов к сотне платформ
Отдельные компоненты уже демонстрируют свою работоспособность. В июле 2026 года АО «Аквариус» представило базовый топологический редактор. Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) совместно с АО «Национальная компьютерная корпорация» (НКК) ведёт работу над программными инструментами для проектирования сверхвысокочастотных (СВЧ) интегральных схем. В сентябре 2026 года АО «НИИМА «Прогресс» (входит в ГК «Элемент») и НКК договорились проверить существующие российские разработки в области САПР на практических задачах.
Следующий шаг – интеграция этих компонентов в единую среду, включающую логические синтезаторы, средства верификации и анализаторы задержек сигналов.
Общие инвестиции в создание САПР до 2030 года оцениваются в 54,6 млрд рублей (около 658 млн долларов). К концу десятилетия планируется представить около ста программных платформ.
Моделирование процессов на уровне атомов
Дорожная карта Минпромторга РФ по развитию САПР включает внедрение новых подходов к производству. В 2029 году стартует ОКР «Программа ПТМ-Про» по приборно-технологическому моделированию, рассчитывающая физико-химические процессы на уровне кристаллической решётки: ионную имплантацию, диффузию примесей и окисление кремния.
Параллельно отрасль уже внедряет искусственный интеллект: алгоритмы берут на себя поиск логических ошибок, оптимизацию размещения элементов и снижение энергопотребления. Успех внедрения зависит от кадров: ведущие вузы уже формируют профильные курсы и лаборатории САПР.
Партнёрство вместо зависимости
В случае успешного промышленного внедрения новых САПР в России разработчики получат возможность предлагать зарубежным партнёрам модули и комплексные решения, в частности, в страны ЕАЭС и Азии. Пока же в России фокус делается на оснащении собственных дизайн-центров, что станет значимым шагом к созданию полной независимой цепочки проектирования микросхем: от архитектуры до производства.
Аналогичную работу по созданию национальных инструментов ведут Китай и Индия при прямой государственной поддержке, что открывает возможности для международной кооперации.
