Российский федеральный ядерный центр разрабатывает новую установку для производства микросхем
Российский федеральный ядерный центр – ВНИИ экспериментальной физики получил контракт Минпромторга на разработку автоматизированной установки жидкостного химического травления полупроводниковых пластин.
Сумма контракта составила 1,43 миллиарда рублей. Завершение опытно-конструкторских работ по проекту «Спрей» запланировано на ноябрь 2029 года.
Полный цикл обработки пластин
Установка выполняет химическое травление, очистку, промывку и сушку полупроводниковых пластин диаметром до 200 миллиметров. За один цикл система обрабатывает до 100 пластин и обеспечивает автоматическую загрузку и выгрузку без участия оператора.
Жидкостное химическое травление – один из ключевых этапов производства микросхем. Химические реагенты удаляют слои материала с поверхности пластины и формируют структуру будущих электронных компонентов. Точность этого процесса напрямую влияет на характеристики готовых чипов. Оборудование должно работать в чистых производственных помещениях с минимальным присутствием человека.
Отечественных аналогов такой установки сейчас нет. Российские производители микроэлектроники используют зарубежное оборудование, поставки которого ограничены. Создание собственного комплекса снижает зависимость фабрик от иностранных поставщиков.
Российский контроллер и программное обеспечение
Ключевая ИТ-составляющая проекта – создание отечественной системы управления установкой. Центральным контроллером и программным обеспечением станут российские разработки. Также российскими должны быть системы подачи реагентов, процессная камера и ряд других критических узлов.
Программное обеспечение управляет последовательностью операций, химическим составом, температурными режимами и временем обработки. Контроллер будет отслеживать параметры процесса в реальном времени и обеспечивать повторяемость результатов от цикла к циклу. Система автоматически фиксирует все параметры обработки каждой пластины для последующего анализа.
Производителям электроники это даст возможность самостоятельно заниматься обслуживанием, модернизацией и адаптацией оборудования под свои технологические процессы.
Формирование технологической цепочки
Проект «Спрей» дополняет несколько других российских разработок оборудования для производства микросхем. В июле 2026 года тот же РФЯЦ-ВНИИЭФ получил контракт почти на 993 миллиона рублей по проекту «Дантист» на создание установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. Контроллеры, платы управления и программное обеспечение этих установок также будут российского производства.
Развиваются и литографические разработки. В сентябре 2025 года ЗНТЦ завершил разработку первого отечественного фотолитографа с разрешением 350 нанометров и перешёл к подготовке серийного производства. В июле 2026 года стало известно о создании опытных образцов российской установки электронно-лучевой литографии с проектными нормами 150 нанометров. Оборудование рассчитано на применение в силовой электронике, автомобильной электронике и промышленных системах.
В марте 2025 года НИИТМ представил первую российскую кластерную установку плазмохимического осаждения для пластин диаметром 300 миллиметров. В неё входят роботизированная транспортировка, собственная система управления и программное обеспечение.
Сам по себе аппарат химического травления проблему зависимости от зарубежного оборудования не решает. Для полного цикла нужны литография, нанесение плёнок, травление, очистка, метрология, ионная имплантация и другие типы оборудования. Только одновременное развитие всех направлений позволит к концу десятилетия увеличить долю российских установок в производственной цепочке микроэлектроники.
Мировой контекст и сроки реализации
Развитие собственного электронного машиностроения рассматривается государством как одно из условий технологической независимости. В 2023 году власти сообщали о выделении более 240 миллиардов рублей до 2030 года на это направление. Контракт с РФЯЦ-ВНИИЭФ стал частью этой программы.
Контракт предусматривает проведение опытно-конструкторских работ до конца 2029 года. Впереди разработка, изготовление и испытания оборудования. К концу десятилетия Россия сможет заметно увеличить долю собственного оборудования в производственной цепочке. В дальнейшем это поможет сформировать экспортную нишу на рынках стран, которые сами развивают полупроводниковую промышленность.
